Transistors. Page 76 sur 114. Avtronic

Transistor IRF7807Z

3.19€ TTC

60 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 11A. Puissance: 2.5W. Rds: 0.011 Ohm. HEXFET. Boîtier: SO-8.

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRF7832PBF

2.69€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 30V 20A/160Ap 2.5W. Résistance passante RDSon : 0.031 Ohms (16A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF8010

5.26€ TTC

69 En stock

Transistor MOSFET canal N 100V 80A/320Ap 260W 0.012R (57A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRF8010PBF. Type de boîtier: TO-220. Boîtier: TO220AB. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 100V. Id(T:25): 80A. Puissance: 260 W. Id(T:100): 57A. Id(imp): 320 Ap. Idss (min): 20 uA. Idss (max): 250 uA. Vg

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF8010S

7.22€ TTC

127 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 100V 80A/320Ap 260W 0.012R (57A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRF8010SPBF. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: D2PAK (TO-263). Boîtier: D2PAK. Transistor FET: MOS. 2-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 100V. Id(T:25): 80A. Puissance: 260 W. Id(T:100): 57A. Id(imp): 320 Ap. Idss

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF820

3.25€ TTC

112 En stock

Transistor IRF820 N-MOS 500V 2.5A 50W <3R(1.5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.5 A. Rds (Ohms): 3. Puissance: 50 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF830

3.08€ TTC

41 En stock

Transistor IRF830 N-MOS 500V 4.5A 74W <1.5R(2.9A). HEXFET Power MOSFET. Switch Mode Power Supply (SMPS). Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.9 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF840

3.70€ TTC

136 En stock

Transistor IRF840 N-MOS 500V 8A 125W<0.85R(4.8A). V-MOS. L. MOS-N-FET. Constructeur: IR. 56/104nS. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.8 A. Rds (Ohms): 0.85. Puissance: 125 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF840A

4.70€ TTC

75 En stock

Transistor MOSFET canal N 500V 8A/32Ap 125W 0.85R (5.1A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF840AS

5.10€ TTC

42 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 500V 8A/32Ap 125W 0.85R (5.1A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF8707G

2.69€ TTC

40 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 30V 11A 2.5W 0.119R. Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRF8707GPbF. Marquage boîtier: IRF8707G. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: SO. Boîtier: SO-8. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 30V. Id(T:25): 11A. Puissance: 2.5 W. Id(T:100): 9.1A. Id(imp): 88 Ap. Id

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF9240

44.69€ TTC

25 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -11A. Puissance: 125W<0.05R(7A). Boîtier: TO3.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF9310

4.03€ TTC

59 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 20A. Puissance: 2.5W. Résistance passante: 0.02 Ohms. Boîtier: SO8.

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-P IRF9510PBF

2.52€ TTC

44 En stock

Transistor MOSFET canal-P 100V 4A/16Ap 43W. Résistance passante RDSon : 1.2 Ohms (2.8A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF9520

3.70€ TTC

17 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -6.8A. Puissance: 60W 0.6R(4.1A. Boîtier: TO-220AB.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF9520N

3.53€ TTC

263 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -6.8A. Puissance: 48W 0.48R(4.1A. Boîtier: TO-220AB.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF9530

3.70€ TTC

112 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -12A. Puissance: 88W 0.3R(7.2A). Boîtier: TO-220AB.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF9530N

2.91€ TTC

34 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -14A. Puissance: 79W 0.2R(8.4A). Boîtier: TO-220AB.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF9530NS

4.20€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 100V. Courant de drain maxi: 14A. Puissance: 79W. Résistance passante: 0.2 Ohms. Boîtier: D2PAK. TO-263.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF9540

4.48€ TTC

182 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -19A. Puissance: 150W 0.2R(11A). Boîtier: TO-220AB.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF9540-DIV

3.58€ TTC

15 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET) 100V 23A. Boîtier: TO-220AB. Vds(max): 100V. Id(@25ºC): 23A. Puissance: 140W. Résistance Rds: 0.12 Ohms. HEXFET Power MOSFET.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF9540N

3.53€ TTC

221 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -23A. Puissance: 140W 0.12R(11A). Boîtier: TO-220AB.

0

Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor IRF7807Z

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 11A. Puissance: 2.5W. Rds: 0.011 Ohm. HEXFET. Boîtier: SO-8.

Transistor MOSFET canal-N IRF7832PBF

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 30V 20A/160Ap 2.5W. Résistance passante RDSon : 0.031 Ohms (16A)

Transistor IRF8010

Transistor IRF8010S

Transistor IRF820

Transistor IRF820 N-MOS 500V 2.5A 50W <3R(1.5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.5 A. Rds (Ohms): 3. Puissance: 50 W

Transistor IRF830

Transistor IRF830 N-MOS 500V 4.5A 74W <1.5R(2.9A). HEXFET Power MOSFET. Switch Mode Power Supply (SMPS). Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.9 A.

Transistor IRF840

Transistor IRF840 N-MOS 500V 8A 125W<0.85R(4.8A). V-MOS. L. MOS-N-FET. Constructeur: IR. 56/104nS. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.8 A. Rds (Ohms): 0.85. Puissance: 125 W

Transistor IRF840A

Transistor MOSFET canal N 500V 8A/32Ap 125W 0.85R (5.1A)

Transistor IRF840AS

Transistor MOSFET canal N CMS 500V 8A/32Ap 125W 0.85R (5.1A)

Transistor IRF8707G

Transistor IRF9240

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -11A. Puissance: 125W<0.05R(7A). Boîtier: TO3.

Transistor IRF9310

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 20A. Puissance: 2.5W. Résistance passante: 0.02 Ohms. Boîtier: SO8.

Transistor MOSFET canal-P IRF9510PBF

Transistor MOSFET canal-P 100V 4A/16Ap 43W. Résistance passante RDSon : 1.2 Ohms (2.8A)

Transistor IRF9520

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -6.8A. Puissance: 60W 0.6R(4.1A. Boîtier: TO-220AB.

Transistor IRF9520N

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -6.8A. Puissance: 48W 0.48R(4.1A. Boîtier: TO-220AB.

Transistor IRF9530

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -12A. Puissance: 88W 0.3R(7.2A). Boîtier: TO-220AB.

Transistor IRF9530N

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -14A. Puissance: 79W 0.2R(8.4A). Boîtier: TO-220AB.

Transistor IRF9530NS

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 100V. Courant de drain maxi: 14A. Puissance: 79W. Résistance passante: 0.2 Ohms. Boîtier: D2PAK. TO-263.

Transistor IRF9540

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -19A. Puissance: 150W 0.2R(11A). Boîtier: TO-220AB.

Transistor IRF9540-DIV

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET) 100V 23A. Boîtier: TO-220AB. Vds(max): 100V. Id(@25ºC): 23A. Puissance: 140W. Résistance Rds: 0.12 Ohms. HEXFET Power MOSFET.

Transistor IRF9540N

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -23A. Puissance: 140W 0.12R(11A). Boîtier: TO-220AB.

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